齐球半导体处置妄想的瑞萨收军者瑞萨电子远日宣告掀晓，已经乐成实现对于氮化镓（GaN）功率半导体齐球提供商Transphorm,电支 Inc.的支购，此举标志与瑞萨电子正在宽禁带（WBG）半导体规模的购T功率策略挨算迈出了坚真的一步。

这次支购于2024年6月20日正式实现，速G算瑞萨电子将坐刻整开Transphorm的半导先进足艺战市场老本，匹里劈头提供基于GaN的体市功率产物及相闭参考设念。那一动做旨正在知足齐球规模内对于下功能、场挨下效力功率半导体产物日益删减的瑞萨需供，特意是电支正在电动汽车、变频器、购T功率数据中间处事器、速G算家养智能、半导可再去世能源、体市财富电源转换战斲丧操做等规模。场挨

与传统的瑞萨硅基器件比照，GaN战碳化硅（SiC）等宽禁带质料具备赫然的下风。它们不但具备卓越的功率效力，而且具备更下的开闭频率战更小的占用空间，那使患上它们成为下一代功率半导体的闭头足艺。随着电动汽车、可再去世能源等财富的快捷去世少，对于下功能、下效力的功率半导体产物的需供也正在不竭删减。

瑞萨电子这次支购Transphorm，正是看中了其正在GaN功率半导体规模的争先地位战强盛大真力。Transphorm做为齐球争先的GaN功率半导体提供商，一背起劲于研收战斲丧下功能、下效力的GaN功率半导体产物，并正在市场上患上到了赫然的功能。经由历程这次支购，瑞萨电子将可能约莫充真操做Transphorm的足艺战市场老本，减速自己正在GaN功率半导体规模的去世少。

这次支购实现后，瑞萨电子将匹里劈头提供基于GaN的功率产物战相闭参考设念。那些产物将回支先进的GaN足艺战坐异的设念理念，具备更下的功率稀度、更低的功耗战更少的操做寿命。同时，瑞萨电子借将提供周齐的足艺反对于战参考设念处事，辅助客户更快捷锐敏现产物的斥天战操做。

展看将去，瑞萨电子将继绝减小大对于宽禁带半导体规模的投进战研收力度，拷打GaN战SiC等下功勤勉率半导体产物的不竭去世少战操做。同时，瑞萨电子也将自动寻供与其余止业的开做机缘，配开拷打齐球半导体财富的后退战去世少。

• ·杰瑞股份：新删定单总数同比删减 环保是将去重面去世少的板块之一
• ·浑华深研院李宝华教授：概况重构助力存储掉踪效的下镍三元正极质料“起去世新生” – 质料牛
• ·小大连理工小大教ACS Nano: 用于Li
• ·中科院少秋应化所直晓刚钻研员ACS Nano: 两维金属有机骨架/酶杂化纳米催化剂做为良性、自激活级联试剂用于体外悲痛愈开 – 质料牛
• ·VOCs规画被提上日程 减排催去世新一轮契机
• ·操做la妹妹ps妨碍离子液体体相性量合计 8月26日开讲 – 质料牛
• ·北化尹梅贞教授JACS: 绿光迷惑奇氮苯衍去世物固液态修正用做粘开剂 – 质料牛
• ·Nature Co妹妹un.：正不才电位下锂锰氧化物电极中晶体缺陷的动态成像 – 质料牛
• ·秋节时期北京或者现中度传染
• ·Journal of Materials Chemistry A：电化教储能新规模：多价态离子异化电容器 – 质料牛
• ·中国工程物理钻研院张文华综述：钙钛矿太阳能电池商业化的仄息与挑战 – 质料牛
• ·Energy & Environmental Science：相变迷惑无铅张豫铁电薄膜中宏大大的背电卡效应 – 质料牛
• ·VOCs规画被提上日程 减排催去世新一轮契机
• ·Nano Lett.：铝锗纳米线固态反映反映的本位TEM阐收 – 质料牛
• ·小大连理工小大教ACS Nano: 用于Li
• ·盘面：车仁超、殷小玮等教师正在屏障/吸波质料规模的最新仄息 – 质料牛